Написал рецензию в тусовке литература
0
0 7 Октября Ответить
Написал рецензию в тусовке кино
0
0 4 Сентября Ответить
Написал рецензию в тусовке
1
0 1 Ноября 2017 Ответить
Написал рецензию в тусовке литература
0
0 25 Июня 2017 Ответить
Написал рецензию в тусовке литература
0
0 24 Июня 2017 Ответить
Для быстрого поиска начните вводить запрос
Инженерия дефектов в технологии полупроводников
от 8 086 руб.

Разработка новых приборов или существенное улучшение их параметров нуждаются в развитии физических основ инженерии дефектов в их технологии. Для создания нового поколения силовых высоковольтных приборов (СВП) потребовалась разработка технологии изготовления структур с p-n переходами на основе бездислокационного нейтронно-легированного кремния большого диаметра. В таких структурах доминирующим типом структурных дефектов являются собственные точечные дефекты (СТД) и их комплексы. Поведение СТД при характерных для СВП температурах и временах не было изучено, и отвергалось их участие в формировании электрически активных центров. При зарождении кремниевой оптоэлектроники высказывались сомнения о возможности создания светодиодов на основе кремния, поскольку он является не прямозонным полупроводником. Создание эффективных светодиодов потребовало исследования процессов образования структурных дефектов, электрически и оптически активных центров при легировании кремния ионами эрбия. В книге...

0.0
Ваша оценка 0.0 Отменить оценку
  • Год выхода
    2011
  • Издательства
    LAP Lambert Academic Publishing
Персоны
Рецензии (0)
Авторизуйтесь чтобы писать рецензии. Все рецензии
Комментарии (0)
Авторизуйтесь чтобы оставлять комментарии.

Поделитесь с друзьями